9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI60R299CP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI60R299CP价格参考1.20000美元。Infineon Technologies IPI60R299CP封装/规格：N通道功率MOSFET。您可以下载IPI60R299CP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPI60R250CPAKSA1带有引脚细节，包括XPI60R250系列，它们设计用于管式包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI60R150CP SP000358141，提供单位重量功能，如0.073511盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商标，该设备也可以用作to-262-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为104 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为17 ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为12A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为250mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型导通延迟时间为40ns，Qg栅极电荷为26nC。
IPI60R280C6是MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.084199盎司，提供典型的关断延迟时间特性，如100 nS，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件采用CoolMOS C6系列，该器件具有11 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为280 mOhms，Qg栅极电荷为43 nC，Pd功耗为104 W，部件别名为IPI60R280C6XK IPI60R180C6XKSA1 SP000687554，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为13.8 A，下降时间为12 ns，配置为单一。
带有电路图的IPI60R199CPXKSA2，包括TO-262-3封装盒，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPI60R199CP SP001109508的零件别名，该产品提供Si等技术特性。
