FCP190N65S3

Name: FCP190N65S3
Brand: 安盛美 (onsemi)
SKU: 7129687-FCP190N65S3
Price: 19.700688 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc）最大功耗: 144W（Tc）供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 安盛美 (onsemi)
交期:5-7 工作日

渠道:

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	19.70068	19.70068
10+	17.67267	176.72676
100+	14.20767	1420.76730
500+	11.67265	5836.32900
1000+	10.61157	10611.57300

库存: 1892
单价: ¥19.70069
数量:
- +
总计: ¥19.70

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规格参数

制造厂商安盛美 (onsemi)
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
安装类别通孔
供应商设备包装 TO-220-3
包装/外壳至220-3
最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
漏源电压标 (Vdss) 650 V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 33 nC @ 10 V
漏源电流 (Id) @ 温度 17A（Tc）
导通电阻 Rds(ON) 190毫欧姆@8.5A，10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1350 pF @ 400 V
最大功耗 144W（Tc）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 1.7毫安

FCP190N65S3 产品详情

SuperFET®和SuperFET™II N沟道MOSFET，Fairchild半导体

Fairchild使用超级结技术添加了SuperFET®II高压功率MOSFET系列。它在AC-DC开关模式电源（SMPS）应用（如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器、照明应用）中提供了一流的稳健体二极管性能，这些应用需要高功率密度、系统效率和可靠性。
利用先进的电荷平衡技术，设计人员可以获得更高效、更经济、更高性能的解决方案，从而占用更少的电路板空间并提高可靠性。

特色

700伏@TJ=150°C
类型。RDS（开启）=168 mΩ
超低栅极电荷（典型Qg=60 nC）
低有效输出电容（典型cos（eff.）=186 pF）
100%雪崩测试
符合RoHS

应用

AC-DC电源
LCD/LED/PDP电视
太阳能转化器

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型号	制造商	描述	价格
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FCPUCKLC	海尔曼泰顿 (HellermannTyton)	POLISHING PUCK LC CONNECTORS	¥4,824.06112
FCPUCKSCST	海尔曼泰顿 (HellermannTyton)	POLISHING PUCK SC/ST CONNECTORS	¥418.20505
FCPL01250500	达纳帕 (Dynapar)	CPLG,FLEX,1/2;1/4,1/2,1.250D	¥1,954.13442
FCPL02001000	达纳帕 (Dynapar)	CPLG,FLEX;1;3/8,5/8,2.000D	¥2,525.23709
FCPL00750125	达纳帕 (Dynapar)	CPLG,FLEX,1/8;1/8,3/16,.750D	¥2,793.58653
FCPL02000875	达纳帕 (Dynapar)	CPLG,FLEX;7/8;3/8,5/8,2.000D	¥2,972.48616
FCPL02001125	达纳帕 (Dynapar)	CPLG,FLEX,1-1/8;3/8,5/8,2.000D	¥3,344.04693

FCP190N65S3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FCP190N65S3 由安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FCP190N65S3价格参考￥19.700688，你可以下载 FCP190N65S3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FCP190N65S3规格参数、现货库存、封装信息等信息！