9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PSMN1R8-30PL，127，在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PSMN1R8-30PL，127价格参考2.91000美元。Nexperia USA Inc.PSMN1R8-30PL，127封装/规格：MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB。您可以下载PSMN1R8-30PL，127英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如PSMN1R8-30PL，127价格，库存数量，数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
PSMN1R7-60BS，118是MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于D2PAK，除了MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型之外，该器件还可以用作306W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为60V，该器件提供9997pF@30V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为120A（Tc），最大Id Vgs的Rds为2 mOhm@25A，10V，Vgs th最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为137nC@10V。
带有NXP制造的用户指南的PSMN1R7。PSMN1R7在SOT669封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN1R7-30YL，带有NXP制造的电路图。PSMN1R7-30YL在SOT669封装中提供，是FET的一部分-单个。
