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MCH6626-TL-E是MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6，包括Digi-ReelR封装，它们设计用于6-SMD扁平引线封装外壳，其工作温度范围为150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计用于6-MCPH，以及N和P通道FET类型，该器件还可以用作800mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件以105pF@10V输入电容Ciss Vds提供，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为1.6A，1A，最大Id Vgs的Rds为230mOhm@800mA，4V，栅极电荷Qg Vgs为1.4nC@4V。
MCH6620-TL-E，带有SANYO制造的用户指南。MCH6620-TL-E采用SOT-363封装，是IC芯片的一部分。
MCH6622-TL-E，电路图由SANYO制造。MCH6622-TL-E采用SOT封装，是IC芯片的一部分。
