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FDC8878

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta), 8A (Tc) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.61905 8.61905
10+ 7.71368 77.13689
100+ 6.01233 601.23310
500+ 4.96660 2483.30050
1000+ 4.15872 4158.72800
3000+ 4.15865 12475.96800
  • 库存: 2341
  • 单价: ¥4.49060
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.62
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 最大功耗 1.6W(Ta)
  • 供应商设备包装 SuperSOT-6.
  • 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 16毫欧姆@8A,10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Ta), 8A (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1040 pF@15 V

FDC8878 产品详情

该N沟道MOSFET采用先进的Power Trench®工艺生产,该工艺已针对rDS(开启)开关性能进行了优化。

特色

  • VGS=10 V,ID=8.0 A时,最大rDS(开)=16 mΩ
  • VGS=4.5 V,ID=7.5 A时,最大rDS(开)=18 mΩ
  • 用于极低rDS的高性能沟槽技术(开启)
  • 快速切换速度
  • 符合RoHS

应用

  • 笔记本电脑
FDC8878所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDC8878 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDC8878价格参考¥4.490598,你可以下载 FDC8878中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDC8878规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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