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IRF7665S2TR1PBF是MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于DirectFET-6，提供Si等技术特性，通道数设计用于1个通道，以及单一配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为15W，其最大工作温度范围为+175C，器件的下降时间为3.6ns，上升时间为6.4ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为14.4A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第h栅极-源阈值电压为5V，漏极-源极电阻Rds为51mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为8.3nC，正向跨导Min为8.8S。
IRF7663TRPBF是由IOR制造的MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8。IRF7663TRPBF在MSOP8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8、P通道20V 8.2A（Ta）1.8W（Ta）表面安装MICRO8？、？，Trans-MOSFET P-CH Si 20V 8.2A 8引脚微型T/R。
IRF7663TRPBF。电路图由IR制造。IRF7663TRPBF。MSOP8封装中提供，是IC芯片的一部分。
