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SSM3K15AFU,LF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安(Ta) 最大功耗: 150mW(Ta) 供应商设备包装: USM 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.81072 1.81072
10+ 1.45582 14.55823
100+ 0.77209 77.20930
500+ 0.50787 253.93600
1000+ 0.34534 345.34100
3000+ 0.31151 934.55100
6000+ 0.27088 1625.30400
  • 库存: 14475
  • 单价: ¥1.81073
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.81
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 包装/外壳 SC-70,SOT-323
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 100毫安(Ta)
  • 最大功耗 150mW(Ta)
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 供应商设备包装 USM
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.6欧姆 @ 10毫安, 4V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@100A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 13.5 pF@3 V
  • 色彩/颜色 -

SSM3K15AFU,LF 产品详情

  • 应用范围:负载开关
  • 极性:N-ch
  • 世代:U-MOSⅢ
  • 内部连接:单个
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:泰国

特色

  • 装配底座:1.5 V
  • 装配底座:6.0Ω
  • 装配底座:3.6Ω
  • 装配底座:13.5 pF

应用

负载开关
SSM3K15AFU,LF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SSM3K15AFU,LF 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SSM3K15AFU,LF价格参考¥1.810725,你可以下载 SSM3K15AFU,LF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SSM3K15AFU,LF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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