SSM3K15F,LF

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 漏源电压标 (Vdss) 30伏
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
• 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
• 漏源电流 (Id) @ 温度 100毫安（Ta）
• 制造厂商 东芝 (Toshiba)
• 工作温度 150摄氏度
• 最大功耗 200mW（Ta）
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4伏
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@100A.
• 供应商设备包装 S-Mini
• 导通电阻 Rds(ON) 4欧姆 @ 10毫安, 4V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7.8 pF @ 3 V
• 长（英寸） seventeen