9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的R6020JNXC7G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。R6020JNXC7G参考价格2.98000美元。Rohm Semiconductor R6020JNXC7G封装/规格：MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM。您可以下载R6020JNXC7G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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R6001825XXYA是DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205，包括散装包装，它们设计为与DO-205AB、DO-9、螺柱包装箱一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于底盘、螺柱安装，提供供应商设备包功能，如DO-205AA、DO-9，速度设计为在标准恢复>500ns、>200mA（Io）、，与标准二极管类型一样，该器件也可以用作50mA@1800V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.5V@800A，该器件提供1800V（1.8kV）电压直流反向Vr Max，该器件具有250A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为11μs，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
R6001830XXYA是DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205，包括1.4V@800A正向电压Vf Max。如果设计为在1800V（1.8KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-205AB、DO-9中使用的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为13μs，除了散装包装外，该设备还可以用作DO-205AB、DO-9、螺柱包装箱，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该设备为底盘螺柱安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为50mA@1800V，电流平均整流Io为300A。
R6002025XXYA是DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205，包括250A电流平均整流Io，它们设计为在50mA@2000V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-205AB、DO-9，螺柱包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为11μs，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有DO-205AB，DO-9供应商设备包，电压DC反向Vr Max为2000V（2kV），电压正向Vf Max If为1.5V@800A。
R6002030XXYA是DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205，包括标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，它们设计为使用标准二极管类型，数据表说明中显示了用于DO-205AB、DO-9、螺柱的封装盒，其提供供应商设备封装功能，如DO-205AA、DO-9，其工作温度结范围为-65°C~150°C。此外，电流反向泄漏Vr为50mA@2000V，该器件提供300A电流平均整流Io，该器件具有2000V（2kV）的电压DC反向Vr Max，反向恢复时间trr为13μs，电压正向Vf Max If为1.4V@800A。
