Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
IRF3709ZPBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 87A (Tc) 最大功耗: 79W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 704
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.39522 | 2.39522 |
- 库存: 72
- 单价: ¥2.39523
-
数量:
- +
- 总计: ¥1,686.24
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 供应商设备包装 TO-220AB
- 最大功耗 79W (Tc)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.25V@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 87A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 6.3毫欧姆 @ 21A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2130 pF@15 V
IRF3709ZPBF 产品详情
N沟道功率MOSFET 30V，英飞凌
IRF3709ZPBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | IRFZ24NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 |
 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRF3709ZPBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF3709ZPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF3709ZPBF价格参考￥2.395227，你可以下载 IRF3709ZPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF3709ZPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
