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NTHS5441T1G是MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET，包括NTHS5441T1系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于CHIPFET-8，以及Si技术，该器件还可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单十六进制漏极，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1.3 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为22纳秒，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为-5.3A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为46mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为14ns，正向跨导最小值为12S，沟道模式为增强。
NTHS5443T1G是MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为38 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为NTHS5443系列，该器件的上升时间为14 ns，漏极电阻Rds为56 mOhms，Pd功耗为1.3 W，封装为卷轴式，封装外壳为ChipFET-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为-4.9 A，正向跨导最小值为10 S，下降时间为14 ns，配置为单十六进制漏极，通道模式为增强型。
NTHS5443T1是ON公司制造的MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET。NTHS5441T1采用8-SMD、扁平引线封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH20V 3.6A CHIPFET、P沟道20V 3.6A（Ta）1.3W（Ta）表面安装CHIPFET？。
