9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPB21N50C3ATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SPB21N50C3ATMA1参考价格4.93000美元。Infineon Technologies SPB21N50C3ATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3。您可以下载SPB21N50C3ATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SPB21N50C3是MOSFET N-CH 560V 21A TO-263，包括CoolMOS C3系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名显示在数据表注释中，用于SP000013833 SPB21N50 C3ATMA1 SPB21N 50C3XT，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为208 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.5 ns，上升时间为5 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为21A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为190mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为67ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
SPB20N65C3，带有INFINEON制造的用户指南。SPB20N65C3采用TO263封装，是IC芯片的一部分。
SPB21N10是INFINEON制造的MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK。SPB21N10采用TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK、N沟道100V 21B（Tc）90W（Tc）表面安装PG-TO263-3-2。
SPB21N50，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。SPB21N50在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
