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STP6NK90Z

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A (Tc) 最大功耗: 140W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 25.06043 25.06043
10+ 22.52541 225.25419
100+ 18.45490 1845.49090
500+ 15.71057 7855.28700
1000+ 15.05668 15056.68500
  • 库存: 950
  • 单价: ¥22.81514
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥25.06
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 供应商设备包装 TO-220
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 100A
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5.8A (Tc)
  • 最大功耗 140W(Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 900 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1350 pF@25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 2欧姆,2.9A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 60.5 nC @ 10 V
  • 色彩/颜色 -

STP6NK90Z 产品详情

超级MESH™ 该系列是通过对ST建立良好的条带进行极端优化而获得的
动力MESH™ 布局除了显著降低电阻外,还要特别注意确保在最苛刻的应用中具有非常好的dv/dt能力。该系列补充了ST全系列高压MOSFET,包括革命性的MDmesh™ 产品。

应用

1.大电流、高速开关
2.适用于离线电源、适配器和PFC
3.照明
特征

1.典型RDS(开启)=1.56 W
2.极高的dv/dt能力
3.100%雪崩测试
4.栅极电荷最小化
5.非常低的固有电容
6.非常好的制造重复性

特色

  • 极高的dv/dt能力
  • 网关费用最小化
  • 100%雪崩测试
  • Verygood制造可重复性
  • Verylowintrinsic电容

STP6NK90Z所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STP6NK90Z 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STP6NK90Z价格参考¥22.815135,你可以下载 STP6NK90Z中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STP6NK90Z规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...

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