9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFZ48SPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFZ48SPBF参考价格为3.21000美元。Vishay Siliconix IRFZ48SPBF封装/规格：MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK。您可以下载IRFZ48SPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFZ48RPBF是MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供190 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为250 ns，上升时间为250纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为50 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极漏极-漏极电阻为18m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为210ns，典型接通延迟时间为8.1ns，沟道模式为增强。
IRFZ48RSPBF是MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8.1 ns，典型的关闭延迟时间设计为210 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为250 ns，器件的漏极-源极电阻为18 mOhms，Pd功耗为190 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为50 A，下降时间为250 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFZ48RS是由IR制造的MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK。IRFZ48R有TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH60V 50B D2PAK。
IRFZ48S是由IR制造的MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK。IRFZ48S可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH60V 50B D2PAK、N沟道60V 50C（Tc）3.7W（Ta）、190W（Tc。
