SI2306BDS-T1-E3

Name: SI2306BDS-T1-E3
Brand: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
SKU: 7129958-SI2306BDS-T1-E3
Price: 1.226223 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 3.16A（Ta）最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 30伏
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
制造厂商威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
最大功耗 750mW (Ta)
漏源电流 (Id) @ 温度 3.16A（Ta）
导通电阻 Rds(ON) 47毫欧姆 @ 3.5A, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.5 nC @ 5 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 305 pF @ 15 V
色彩/颜色灰色

SI2306BDS-T1-E3 产品详情

SI2306BDS-T1-E3 相关器件

型号	制造商	描述	价格
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SI2302	伯恩半导体 (BORN)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@4.5V,3A	¥0.14848

SI2306BDS-T1-E3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SI2306BDS-T1-E3 由威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SI2306BDS-T1-E3价格参考￥1.226223，你可以下载 SI2306BDS-T1-E3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SI2306BDS-T1-E3规格参数、现货库存、封装信息等信息！