STQ1HN60K3-AP

规格参数

• 长（英寸） -
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
• 安装类别 通孔
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
• 漏源电压标 (Vdss) 600 V
• 供应商设备包装 TO-92-3
• 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 50A
• 部件状态 过时的
• 漏源电流 (Id) @ 温度 400毫安 (Tc)
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V
• 最大功耗 3W (Tc)
• 包装/外壳 TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）（成型引线）
• 导通电阻 Rds(ON) 8欧姆 @ 600毫安, 10V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 140 pF @ 50 V
• 色彩/颜色 -