9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4776DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4776DY-T1-GE3参考价格为0.35000美元。Vishay Siliconix SI4776DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N沟道30V 11.9A 8SO。您可以下载SI4776DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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Si4776DY-T1-GE3是MOSFET 30伏特11.9安培4.1瓦，包括卷筒封装，它们设计用于Si4776DY-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.019048盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于SOIC-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单肖特基二极管，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有4.1W的Pd功耗，下降时间为6ns，上升时间为11ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为11.9A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极电阻为13m欧姆，并且晶体管极性为N沟道，并且典型关断延迟时间为11ns，并且典型接通延迟时间为10ns，并且Qg栅极电荷为11.6nC，并且正向跨导Min为30S。
SI4774DY-T1-GE3是MOSFET 30伏16安培5瓦，包括20伏Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30伏Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.019048盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8纳秒，典型的关闭延迟时间设计为14纳秒，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以13 ns上升时间提供，器件具有7.9 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为20.3nC，Pd功耗为5W，零件别名为SI4774DY-GE3，封装为卷轴，封装外壳为SOIC-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为16A，正向跨导Min为43S，下降时间为9ns，配置为单肖特基二极管。
Si4776DY，带有VISHAY制造的电路图。Si4776DY采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
Si4776DY-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。Si4776DY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
