9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD16321Q5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD16321Q5价格参考1.83000美元。德州仪器CSD16321Q5封装/规格：MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON。您可以下载CSD16321Q5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如CSD16321Q5价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
CSD16301Q2是MOSFET N-CH 25V 6-SON，包括NexFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商品名功能，包装盒设计用于6-SMD、扁平引线以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的6-SON，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.3W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为25V，输入电容Cis-Vds为340pF@12.5V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为5A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为24 mOhm@4A，8V，Vgs最大Id为1.55V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为2.8nC@4.5V，Pd功耗为2.3 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为1.7 ns，上升时间为4.4ns，Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为5A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.1V，Rds导通漏极-漏极电阻为23mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为4.1ns，典型导通延迟时间为2.7ns，Qg栅极电荷为2nC，正向跨导Min为16.5S。
CSD15380F3T是MOSFET 20-V N-Ch FemtoFET，包括850 mV Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于10 V Vgs栅极源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如3 ns，典型的关闭延迟时间设计为7 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为FemtoFET，器件在1 ns上升时间内提供，器件具有4欧姆Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为0.216 nC，Pd功耗为500 mW，封装为卷轴式，封装盒为LGA-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为500 mA，正向跨导最小值为0.64 S，下降时间为7 ns，配置为1 N通道，通道模式为增强。
CSD15571Q2是MOSFET 20V N沟道NexFET Pwr MOSFET，包括单一配置，它们设计为以4.1 ns的下降时间运行，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于52 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为WSON-FET-6，器件采用卷筒封装，器件具有2.5W的Pd功耗，Qg栅极电荷为2.5nC，Rds漏极-源极电阻为19.2mOhms，上升时间为17.2ns，系列为CSD15571Q2，技术为Si，商品名为NexFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为9.9ns，典型接通延迟时间为17.2ns，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极电压为20V。
