IRF630

Name: IRF630
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7130091-IRF630
Price: 4.009669 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 200伏漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc）供应商设备包装: TO-220AB
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:2-3 工作日

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规格参数

长（英寸） -
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
场效应管特性 -
安装类别通孔
包装/外壳至220-3
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
供应商设备包装 TO-220AB
漏源电压标 (Vdss) 200伏
漏源电流 (Id) @ 温度 9A（Tc）
最大栅源极电压 (Vgs) -
最大功耗 -
工作温度 -
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 43 nC @ 10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 800 pF @ 25 V
部件状态过时的
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
导通电阻 Rds(ON) 400毫欧姆 @ 5.4A, 10V
色彩/颜色 -

IRF630 产品详情

该功率MOSFET采用该公司基于MESH OVERLAY工艺的整合带状布局设计。与来自不同来源的标准部件相比，该技术匹配并提高了性能。

特色

极高的dv/dt能力
Verylowintrinsic电容
网关费用最小化

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型号	制造商	描述	价格
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IRF3205PBF	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc）最大功耗: 200W（Tc）供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥12.96479
IRFU7746PBF		TRENCH 40<-<100V	¥3.59458
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IRFZ24NPBF	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc）最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥5.93918
IRF3710PBF	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc）供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥14.19608
IRFB4228PBF	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 150伏漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥30.63747
IRFZ34NPBF	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc）最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥7.89476

IRF630所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF630 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF630价格参考￥4.009669，你可以下载 IRF630中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF630规格参数、现货库存、封装信息等信息！