9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR472ADP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR472ADP-T1-GE3参考价格为0.67000美元。Vishay Siliconix SIR472ADP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8。您可以下载SIR472ADP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SIR472ADP-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SIR470DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIR814DP-T1-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为104W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为5660pF@20V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为60A（Tc），最大Id Vgs的Rds为2.3mOhm@20A，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为155nC@10V，Pd功耗为6.25W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为39 ns，上升时间为31 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为60 A，Vds漏源击穿电压为40 V，Vgs第h栅源阈值电压为2.5 V，Rds导通漏极-源极电阻为2.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型接通延迟时间为40ns，正向跨导最小值为190S，沟道模式为增强。
SIR470DP，带有VISHAY制造的用户指南。SIR470DP采用QFN-8封装，是FET的一部分-单体。
SiR470DP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SiR470DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
