9icnet为您提供由onsemi设计和生产的2SK2011，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。2011年2月价格参考1.26000美元。onsemi 2SK2011封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载2SK2011英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2SK2009TE85LF是MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI，包括RF小信号MOSFET类型，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SC-59-3，该设备为MOSFET N沟道、金属氧化物FET型，该设备最大功率为200mW，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为70pF@3V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为200mA（Ta），Rds On Max Id Vgs为2 Ohm@50MA，2.5V，Vgs th最大Id为1.5V@100μA，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏电流为200 mA，Vds漏源击穿电压为30 V，Vgs th栅源阈值电压为1.5 V，Rds漏极-源极电阻为1.2欧姆，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为100毫秒。
2SK2009（TE85L.F），带有东芝制造的用户指南。2SK2009（TE85L.F）在SOT-123封装中提供，是IC芯片的一部分。
2SK2010，带有SANYO制造的电路图。2SK2010采用TO220封装，是IC芯片的一部分。
