9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP21D6UFB4-7B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP21D6UFB4-7B参考价格为0.39000美元。Diodes Incorporated DMP21D6UFB4-7B封装/规格：MOSFET P-CH 20V 580MA 3DFN。您可以下载DMP21D6UFB4-7B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMP2160UFDBQ-7，带引脚细节，包括DMP2160系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如6-UDFN暴露焊盘，技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在U-DFN2020-6供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 P信道（双重），最大功率为1.4W，晶体管类型为2 P-信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为536pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.8A，最大Id Vgs的Rds为70 mOhm@2.8A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为6.5nC@4.5V，Pd功耗为1.4W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27.54 ns，上升时间为12.09 ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为-3.8A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs第栅极-源阈值电压为-900mV，Rds导通漏极-漏极电阻为68mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为55.34ns，典型接通延迟时间为11.51ns，Qg栅极电荷为6.5nC，信道模式为增强。
DMP2160UW-7是MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323，包括900mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在12 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-20 V，提供单位重量功能，如0.000212盎司，晶体管类型设计为在1个P沟道中工作，以及P沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为SOT-323，该设备为DMP2160系列，该设备具有100 mOhm@1.5A、4.5V的Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为100 mOhms，最大功率为350mW，Pd功耗为350 mW，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为SC-70、SOT-323、，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Cis-Vds为627pF@10V，Id连续漏电流为1.5 A，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为1.5A（Ta），配置为单沟道，沟道模式为增强型。
DMP2160UW，电路图由DIODES制造。DMP2160UW在SOT23封装中提供，是FET的一部分-单个。
DMP2160UW-7-F，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。DMP2160UW-7-F采用SOT323封装，是IC芯片的一部分。
