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RTQ040P02TR是MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6,包括RTQ040P01系列,它们设计用于卷盘封装,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供封装盒功能,如TSMT-6,技术设计用于Si,以及1通道数量的通道,该器件也可以用作单四漏极配置。此外,晶体管类型为1 P沟道,器件提供1.25 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为35 ns,上升时间为35纳秒,Vgs栅极-源极电压为12 V,Id连续漏极电流为4 A,Vds漏极-源极击穿电压为-20V,Rds漏极源极电阻为35mOhms,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为60ns,典型接通延迟时间为15ns,沟道模式为增强。
RTQ040P02,带有ROHM制造的用户指南。RTQ040P02在SOT-163封装中提供,是FET的一部分-单个。
RTQ040P02 TR,带有ROHM制造的电路图。RTQ040P02 TR在SOT-163封装中提供,是FET的一部分-单个。
RTQ040P02DKR-ND是ROHM制造的MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6。RTQ040P02DKR-ND采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装,是FET的一部分-单体,支持MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6。