DMP32D9UFZ-7B

Name: DMP32D9UFZ-7B
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7130199-DMP32D9UFZ-7B
Price: 2.897160 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安（Ta）最大功耗: 390mW (Ta) 供应商设备包装: X2-DFN0606-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
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1+	2.89716	2.89716
10+	2.36118	23.61185
100+	1.60647	160.64750
500+	1.20463	602.31950
1000+	0.90347	903.47900
2000+	0.82822	1656.45200
5000+	0.77803	3890.16000
10000+	0.72783	7278.39000

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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 30伏
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
场效应管类型 P-通道
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
漏源电流 (Id) @ 温度 200毫安（Ta）
包装/外壳 3-XFDFN
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.35 nC@4.5 V
导通电阻 Rds(ON) 5欧姆 @ 100毫安, 4.5V
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.2伏、10伏
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 22.5 pF@15 V
最大功耗 390mW (Ta)
供应商设备包装 X2-DFN0606-3
色彩/颜色 -

DMP32D9UFZ-7B 产品详情

新一代30V Pch MOSFET的设计旨在最大限度地降低稳态电阻（RDS（ON）），同时保持优异的开关性能和ESD保护栅极，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

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DMP32D9UFZ-7B所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMP32D9UFZ-7B 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMP32D9UFZ-7B价格参考￥2.897160，你可以下载 DMP32D9UFZ-7B中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMP32D9UFZ-7B规格参数、现货库存、封装信息等信息！