特色
- VGS=-4.5V，ID=-3.1A时，最大rDS（开）=95mΩ
- VGS=-2.5V，ID=-2.5A时，最大rDS（开）=141mΩ
- HBM ESD保护等级>2.5kV（注3）肖特基
- 心室颤动<0.37V@500mA
- 薄型-最大0.8 mm-在新封装中，MicroFET 2x2 mm
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDFMA2P029Z
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta） 最大功耗: 1.4W（Tj） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.99760 | 4.99760 |
- 库存: 1018
- 单价: ¥4.99760
-
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- +
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3.1A（Ta）
- 场效应管特性 肖特基二极管（隔离）
- 部件状态 过时的
- 包装/外壳 6-VDFN Exposed Pad
- 供应商设备包装 6-MicroFET (2x2)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
- 导通电阻 Rds(ON) 95毫欧姆@3.1A，4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 720 pF @ 10 V
- 最大功耗 1.4W（Tj）
- 色彩/颜色 黑色
FDFMA2P029Z 产品详情
该设备专门设计为蜂窝手机和其他超便携应用中电池充电开关的单封装解决方案。它的特点是MOSFET具有非常低的稳态电阻和独立连接的低正向电压肖特基二极管，允许最小的传导损耗。MicroFET 2X2封装为其物理尺寸提供了优异的热性能，非常适合线性模式应用。
FDFMA2P029Z 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDFMA2P029Z | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta） 最大功耗: 1.4W（Tj） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.9976 |
 | FDFM2P110 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: MicroFET 3x3毫米 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥64.01275 |
 | FDFN1.25-250 | 连接器类型：快接端子 线规 - AWG：16~22 线规 - mm?：0.5~1.5 | ¥0.61897 | |
 | FDFN2-250 | 连接器类型：快接端子 线规 - AWG：14~16 线规 - mm?：1.5~2.5 | ¥0.68167 | |
 | FDFN1.25-250-AP | 乾威 (CNQWT) | 暂无 | ¥0.56766 |
 | FDFNY2-250 | 连接器类型：快接端子 线规 - AWG：14~16 线规 - mm?：1.5~2.5 全绝缘端子 母 | ¥0.57902 | |
 | FDFD1-187(5) | 187系列母端,半包绝缘护套 | ¥0.86976 | |
 | FDFD1.25-187(8) | 连接器类型：快接端子 线规 - AWG：16~22 线规 - mm?：0.5~1.5 全绝缘端子 母 | ¥0.56324 | |
 | FDFD1.25-250 | 连接器类型：快接端子 线规 - AWG：16~22 线规 - mm?：0.5~1.5 全绝缘端子 母 | ¥0.63581 | |
 | FDFD2-187(8) | 连接器类型：快接端子 线规 - AWG：14~16 线规 - mm?：1.5~2.5 全绝缘端子 母 | ¥0.77175 |
FDFMA2P029Z所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDFMA2P029Z 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDFMA2P029Z价格参考￥4.997601，你可以下载 FDFMA2P029Z中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDFMA2P029Z规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
