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ECH8315-TL-H

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-ECH 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.07003 5.07003
10+ 4.47611 44.76112
100+ 3.43023 343.02370
500+ 2.71174 1355.87100
1000+ 2.16939 2169.39300
3000+ 2.37277 7118.32200
  • 库存: 1330
  • 单价: ¥5.07003
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.07
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 场效应管类型 P-通道
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 最大功耗 1.5W(Ta)
  • 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18 nC@10 V
  • 供应商设备包装 8-ECH
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7.5A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 25毫欧姆@3.5A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 875 pF @ 10 V
  • 色彩/颜色 -

ECH8315-TL-H 产品详情

这种功率MOSFET是使用ON半导体的沟槽技术生产的,该技术专门设计用于低导通电阻。该装置适用于导通电阻要求低的应用。

特色

  • 低导通电阻
  • 通过减少传导损耗提高效率。减少散热
  • ESD二极管保护门
  • ESD电阻
  • RoHS合规性
  • 环境考虑因素
  • 4.0V驱动器

应用

  • 负载开关
  • 锂离子电池保护开关
  • 电机驱动器
  • 数码静态相机、无线扬声器
  • 喷墨打印机、风扇电机、锂电池充电器
ECH8315-TL-H所属分类:分立场效应晶体管 (FET),ECH8315-TL-H 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ECH8315-TL-H价格参考¥5.070030,你可以下载 ECH8315-TL-H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ECH8315-TL-H规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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