9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STS9NF3LL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STS9NF3LL参考价格为1.55000美元。STMicroelectronics STS9NF3LL封装/规格：MOSFET N-CH 30V 9A 8SO。您可以下载STS9NF3LL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如STS9NF3LL价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STS9D8NH3LL是MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC，包括STripFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的8-SO，配置为双双漏极，FET类型为2 N通道（双），功率最大值为2W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为857pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为8A、9A和Rds On Max Id Vgs为22mOhm@4A、10V，Vgs th Max Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为10nC@4.5V，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为8 ns 8.5 ns，上升时间为14.5 ns 32 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为22 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns 18ns，典型接通延迟时间为12ns 15ns，沟道模式为增强。
STS9NF30L是由ST制造的MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC。STS9NF30 L可提供8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 9A8-SOIC、N沟道30V 9A（Tc）2.5W（Tc。
sts9nf30升。电路图由STS9NF30L制造。SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
