9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPW12N50C3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SPW12N50C3参考价格为1.47000美元。Infineon Technologies SPW12N50C3封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载SPW12N50C3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SPW11N80C3FKSA1是MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3，包括XPW11N80系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于SP000013703 SPW11N80C3 SPW11N8C3XK的零件别名，该产品提供单位重量功能，如1.340411盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，该技术是Si，该器件以单配置提供，该器件具有156W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10ns，上升时间为15ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Id连续漏极电流为11A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为390mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为72ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为64nC，沟道模式为增强。
SPW11N80C3是MOSFET N-CH 800V 11A TO-247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为72 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有CoolMOS C3系列，上升时间为15 ns，漏极电阻Rds为450 mOhms，Pd功耗为156 W，零件别名为SP000013703 SPW11N80C3FKSA1 SPW11N8C3XK，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为11 A，下降时间为7 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SPW11N60S5是FEELING制造的MOSFET N-CH 600V 11A TO-247。SPW11N60S5采用TO-247-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 600V 11A TO-247。
