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QS5U12TR

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: TSMT5 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.14245 5.14245
10+ 4.41816 44.18169
100+ 3.30131 330.13140
500+ 2.59411 1297.05850
1000+ 2.00454 2004.54500
3000+ 1.82767 5483.01900
6000+ 1.70975 10258.55400
  • 库存: 2616
  • 单价: ¥5.14246
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.14
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2A(Ta)
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 最大功耗 1.25W(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@1毫安
  • 场效应管特性 肖特基二极管(隔离)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 175 pF@10 V
  • 供应商设备包装 TSMT5
  • 包装/外壳 SOT-23-5薄型,TSOT-23-5
  • 导通电阻 Rds(ON) 100毫欧姆@2A,4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.9 nC @ 4.5 V
  • 色彩/颜色 蓝色

QS5U12TR 产品详情

ROHM MOSFET是利用微处理技术制成的低RDS(导通)电阻器件,有多种类型,包括混合型(MOSFET+肖特基势垒二极管),以满足市场上的各种需求。

特色

  • 多肖特基势垒二极管中功率MOSFET
  • 小型表面安装组件
  • 无铅/符合RoHS


QS5U12TR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),QS5U12TR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。QS5U12TR价格参考¥5.142459,你可以下载 QS5U12TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询QS5U12TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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