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RW1C026ZPT2CR

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: 6-WEMT 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.18687 3.18687
10+ 2.41188 24.11886
100+ 1.50435 150.43500
500+ 1.02950 514.75300
1000+ 0.79193 791.93900
2000+ 0.71277 1425.54800
  • 库存: 7895
  • 单价: ¥3.18688
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.19
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 最大功耗 700mW (Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.5A(Ta)
  • 包装/外壳 6-SMD, Flat Leads
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1250 pF@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 70毫欧姆 @ 2.5A, 4.5V
  • 供应商设备包装 6-WEMT
  • 色彩/颜色 -

RW1C026ZPT2CR 产品详情

RW1C026ZPT2CR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RW1C026ZPT2CR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RW1C026ZPT2CR价格参考¥3.186876,你可以下载 RW1C026ZPT2CR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RW1C026ZPT2CR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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