9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI8499DB-T2-E1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI8499DB-T2-E1参考价格为0.72000美元。Vishay Siliconix SI8499DB-T2-E1封装/规格：MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT。您可以下载SI8499DB-T2-E1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI8489EDB-T2-E1是MOSFET P-CH 20V MICROFOOT，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供MICROFOET TrenchFET等商标功能，封装盒设计为在4-UFBGA以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有4微英尺的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为780mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为765pF@10V，FET特性为标准，Rds On Max Id Vgs为44 mOhm@1.5A，10V，Vgs th Max Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为27nC@10V，Pd功耗为900 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为-700mA，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs第栅极-源阈值电压为-0.5V至-1.2V，Rds导通漏极-漏极电阻为44mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型导通延迟时间为27ns，Qg栅极电荷为9.5nC，正向跨导Min为10S。
SI8466EDB-T2-E1是MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT，包括700mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于700 mV Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于700 mV，提供Vds漏极-源极击穿电压特性，如8 V，典型开启延迟时间设计为20 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以MICROFOOT TrenchFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，供应商器件封装为4 MICROFOOT，系列为TrenchFETR，上升时间为30 ns，Rds On Max Id Vgs为43 mOhm@2A，4.5V，Rds On Drain Source Resistance为43 m欧姆，Qg栅极电荷为13 nC，功率最大为780mW，Pd功耗为1.8W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为4-UFBGA，WLCSP，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，输入电容Cis-Vds为710pF@4V，Id连续漏电流为5.4A，栅极电荷Qg Vgs为13nC@4.5V，正向跨导Min为30S，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为20ns，漏极到源极电压Vdss为8V，配置为单。
SI8465DB-T2-E1是MOSFET 20V 3.8A 1.8W 104mohm@4.5V，包括单一配置，它们设计为在10 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了用于7S的正向跨导最小值，其提供Id连续漏极电流功能，如-3.8 a，其最大工作温度范围为+85 C，它的最低工作温度范围为-40℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用MicroFoot-4封装盒，该器件具有一个封装卷轴，Pd功耗为1.8W，Qg栅极电荷为6nC，漏极源极电阻Rds为122mOhm，上升时间为20ns，技术为Si，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1P信道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为20ns，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极电压为12V。
