9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP1100UCB4-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP1100UCB4-7参考价格为0.44000美元。Diodes Incorporated DMP1100UCB4-7封装/规格：MOSFET P-CH 12V 2.5A WLB0808。您可以下载DMP1100UCB4-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP10H400SK3-13是MOSFET P-CH 100V 9A TO252，包括DMP10系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TO-252-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET P信道，金属氧化物，最大功率为42W，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为1239pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为9A（Tc），最大Id Vgs的Rds为240mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为17.5nC@10V，Pd功耗为42W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为34.4 ns，上升时间为14.9 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-9A，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Vgs第th栅极-源阈值电压为-3V，Rds导通漏极-漏极电阻为240mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为57.4ns，典型接通延迟时间为9.1ns，Qg栅极电荷为17.5nC，信道模式为增强。
DMP10H4D2S-7，带用户指南，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在-2.3 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于-10 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如-100 V，单位重量设计为在0.000282 oz内工作，以及3.3 ns典型开启延迟时间，该装置也可用作8.4ns典型关断延迟时间。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的SOT-23，系列为DMP10，上升时间为2.6ns，Rds On Max Id Vgs为4.2Ohm@500mA，10V，Rds On漏极-源极电阻为4.2 Ohm，Qg栅极电荷为1.8nC，功率最大值为380mW，Pd功耗为0.38W，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为87pF@25V，Id连续漏极电流为-0.27A，栅极电荷Qg Vgs为1.8nC@10V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为4.9ns，漏极到源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为270mA（Ta），沟道模式为增强型。
DMP10H4D2S-13带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为在4.9 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了在-0.27 a下使用的Id连续漏电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，以及SMD/SMT安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为SOT-23-3，器件采用卷筒封装，器件具有0.38W的Pd功耗，Qg栅极电荷为1.8nC，Rds漏极-源极电阻为4.2欧姆，上升时间为2.6ns，系列为DMP10，技术为Si，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为8.4ns，典型开启延迟时间为3.3ns，单位重量为0.000282 oz，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Vgs栅极-源极电压为-10V，第Vgs栅极源极阈值电压为-2.3V。
