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RTR025N05TL是MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3,包括Digi-ReelR替代封装封装,它们设计用于SC-96封装盒,其工作温度范围为150°C(TJ),提供表面安装等安装类型功能,供应商器件封装设计用于TSMT3以及MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型,该器件还可以用作1W最大功率。此外,漏极到源极电压Vdss为45V,该器件提供250pF@10V输入电容Cis-Vds,该器件具有FET特性标准,25°C的电流连续漏极Id为2.5A(Ta),最大Id Vgs上的Rds为130 mOhm@2.5A,4.5V,Vgs th最大Id为1.5V@1mA,栅极电荷Qg-Vgs为3.2nC@4.5V。
RTR025N05 TL,带有ROHM制造的用户指南。RTR025N05 TL在TSMT3封装中提供,是FET的一部分-单个。
RTR025P02,带有SK制造的电路图。RTR025P01可在SOT-23封装中获得,是FET的一部分-单个。
RTR025P02 TL,带有ROHM制造的EDA/CAD模型。RTR025P02 TL在SOT-23封装中提供,是FET的一部分-单个。