9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI8824EDB-T2-E1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI8824EDB-T2-E1参考价格为0.45000美元。Vishay Siliconix SI8824EDB-T2-E1封装/规格：MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT。您可以下载SI8824EDB-T2-E1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI88243ED-IS带有引脚细节，包括汽车、AEC-Q100系列，它们设计用于通用型。数据表注释中显示了用于管替代包装的包装，该包装提供单位重量功能，如0.028254盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及20-SOIC（0.295“，7.50mm宽）封装盒，该器件也可以用作电容耦合技术，其工作温度范围为-40°C~125°C，该器件提供4个通道，该器件具有3 V~5.5 V的电压供应，供应商器件封装为20-SOIC，数据速率为100Mbps，通道类型为单向，电压隔离为5000Vrms，关机即关机，升降时间Typ为2.5ns、2.5ns，隔离功率为No，输入侧1侧2为2016/1/3 0:00:00，共模瞬态抗扰度最小值为40kV/μs，传播延迟tpLH tpHL最大值为12.6ns、17.5ns（Typ），脉宽失真最大值为4.8ns（Tyr），其最大工作温度范围为+125℃，其最小工作温度范围为-40℃，极性为单向，隔离类型为电容耦合，工作电源电流为5.2 mA 3.6 mA，隔离电压为5 kVrms，电源电压最大值为5.5 V，电源电压最小值为3 V，传播延迟时间为18 ns，正向信道为1信道，反向信道为3信道。
SI88244ED-IS带有用户指南，包括3 V~5.5 V电源，它们设计用于5000Vrms电压隔离，单位重量显示在数据表注释中，用于0.028254 oz，提供通用型、技术设计用于电容耦合以及3 V电源电压最小值等类型功能，该设备也可以用作5.5 V电源电压最大值。此外，供应商设备包为20-SOIC，该设备在关机关机模式下提供，该设备具有自动AEC-Q100系列，升降时间Typ为2.5ns、2.5ns，反向信道为4信道，脉宽失真最大值为4.8ns（Typ），传播延迟tpLH tpHL最大值为12.6ns、17.5ns（Tyr），并且传播延迟时间是18ns，并且极性是单向的，并且包装是管交替包装，封装外壳为20-SOIC（0.295“，7.50mm宽），其工作温度范围为-40°C~125°C，工作电源电流为5.2 mA 3.6 mA，通道数为4，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围-40 C，最大工作温度范围+125 C，隔离电压为5 kVrms，隔离类型为电容耦合，隔离功率为No，输入侧1侧2为，正向信道为0信道，数据速率为100Mbps，共模瞬态抗扰度最小值为40kV/μs，信道类型为单向。
SI88243ED-ISR带有电路图，包括单向信道类型，它们设计为以40kV/μs共模瞬态抗扰度最小值运行，数据速率如数据表注释所示，用于100Mbps，提供输入侧1侧2功能，如2016/1/3 0:00:00，隔离电源设计为在No模式下工作，以及电容耦合隔离类型，该设备还可以用作4个通道，其工作温度范围为-40°C~125°C，该器件采用20-SOIC（0.295英寸，7.50mm宽）封装盒，该器件具有磁带和卷轴（TR）交替封装，传输延迟tpLH tpHL最大值为12.6ns，17.5ns（典型值），脉冲宽度失真最大值为4.8ns（典型），升降时间Typ为2.5ns、2.5ns，系列为汽车、AEC-Q100，供应商器件封装为20-SOIC，技术为电容耦合，类型为通用型，电压隔离为5000Vrms，电压供应为3V~5.5V。
SI88244ED-ISR，带EDA/CAD型号，包括单向通道型，设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，隔离电源如数据表注释所示，用于No，提供通用型、技术设计用于电容耦合以及电容耦合隔离型，该设备也可以用作汽车、AEC-Q100系列。此外，电压隔离为5000Vrms，该器件提供40kV/μs共模瞬态抗扰度最小值，其工作温度范围为-40°C~125°C，脉宽失真最大值为4.8ns（典型值），通道数为4，电压供应为3V~5.5V，封装外壳为20-SOIC（0.295“，7.50mm宽），供应商设备封装为20-SOC，上升-下降时间Typ为2.5ns，2.5ns，传播延迟tpLH tpHL Max为12.6ns，17.5ns（Typ），数据速率为100Mbps，输入侧1侧2为。
