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STL65N3LLH5

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.61905 8.61905
10+ 7.06182 70.61828
100+ 6.18471 618.47120
500+ 5.80866 2904.33050
1000+ 5.72515 5725.15000
3000+ 5.30723 15921.70500
  • 库存: 4527
  • 单价: ¥8.61905
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.62
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大功耗 60W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 65A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V
  • 部件状态 过时的
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1500 pF@25 V
  • 供应商设备包装 PowerFlat(5x6)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±22V
  • 导通电阻 Rds(ON) 5.8毫欧姆 @ 9.5A, 10V
  • 色彩/颜色 -

STL65N3LLH5 产品详情

STL65N3LLH5所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STL65N3LLH5 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STL65N3LLH5价格参考¥8.619051,你可以下载 STL65N3LLH5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STL65N3LLH5规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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