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RV2C014BCT2CL

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安 (Ta) 最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: DFN1006-3 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.35562 0.35562
  • 库存: 58
  • 单价: ¥0.35563
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.36
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 包装/外壳 3-XFDFN
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@100A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 100皮法@10V
  • 最大功耗 400mW (Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 700毫安 (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 300毫欧姆 @ 1.4A, 4.5V
  • 供应商设备包装 DFN1006-3
  • 色彩/颜色 -

RV2C014BCT2CL 产品详情

小包装(1006尺寸)RV2C014BCT2CL适用于便携式设备。

特色

  • 低导通电阻,高电流。
  • 高功率小型模具组件(DFN1006)。
  • 无铅铅镀层;符合RoHS。
  • 无卤素。
RV2C014BCT2CL所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RV2C014BCT2CL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RV2C014BCT2CL价格参考¥0.355626,你可以下载 RV2C014BCT2CL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RV2C014BCT2CL规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

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