DMP3105LVT-7

规格参数

• 部件状态 可供货
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 漏源电压标 (Vdss) 30伏
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
• 场效应管类型 P-通道
• 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、10伏
• 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
• 漏源电流 (Id) @ 温度 3.1A（Ta）
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 19.8 nC@10 V
• 导通电阻 Rds(ON) 75毫欧姆 @ 4.2A, 10V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 839 pF @ 15 V
• 最大功耗 1.15W（Ta）
• 供应商设备包装 TSOT-23
• 色彩/颜色 -