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RV4E031RPHZGTCR1

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: dfn1161-6W 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.43217 5.43217
10+ 4.80928 48.09286
100+ 3.68880 368.88090
500+ 2.91599 1457.99600
1000+ 2.33279 2332.79300
3000+ 2.11413 6342.39000
6000+ 1.98817 11929.05600
  • 库存: 2960
  • 单价: ¥5.43218
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.43
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 场效应管类型 P-通道
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
  • 最大功耗 1.5W(Ta)
  • 安装类别 表面安装,可润湿侧翼
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.1A(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 105毫欧姆@3.1A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.8 nC @ 5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 460 pF @ 10 V
  • 供应商设备包装 dfn1161-6W
  • 包装/外壳 6-PowerWFDFN
  • 色彩/颜色 红色

RV4E031RPHZGTCR1 产品详情

帮助保护电信设备。我们的GDT提供宽电压范围的浪涌保护,低电容和多种形状因素,包括新的表面安装设备,使其适用于许多不同的应用和电源线上的浪涌保护。它们的低电容也减少了信号失真。

特色

  • 低电容和插入损耗
  • 低电弧电压撬杆装置
  • 用于高精度设计的高精度火花电压
  • 可选故障短路机制
  • 符合RoHS,无卤素
优点:过电压故障保护

  • 提供过电压故障保护,防止高能浪涌造成的损坏
  • 由于脉冲放电响应,适用于敏感设备
  • 适用于高频应用
  • 用于自动化制造的新型表面安装设备

应用

  • MDF模块
  • xDSL设备
  • 射频系统
  • 天线
  • 基站
工业和消费电子产品
  • 电源
  • 浪涌保护器
  • 报警系统
  • 灌溉系统
RV4E031RPHZGTCR1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RV4E031RPHZGTCR1 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RV4E031RPHZGTCR1价格参考¥5.432175,你可以下载 RV4E031RPHZGTCR1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RV4E031RPHZGTCR1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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