特色
- 2.5Ｖ-驱动器类型
- Nch中功率MOSFET
- 快速切换速度
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
RTF025N03FRATL
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT3 工作温度: 150摄氏度
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.18687 | 3.18687 |
| 10+ | 2.58571 | 25.85715 |
| 100+ | 1.75930 | 175.93000 |
| 500+ | 1.31936 | 659.68350 |
| 1000+ | 0.98952 | 989.52500 |
| 3000+ | 0.90702 | 2721.08400 |
| 6000+ | 0.85212 | 5112.76200 |
- 库存: 16302
- 单价: ¥3.18688
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.19
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 供应商设备包装 TUMT3
- 包装/外壳 3-SMD，扁平引线
- 最大功耗 800mW (Ta)
- 工作温度 150摄氏度
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 270 pF@10 V
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@1毫安
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.5A（Ta）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5.2 nC @ 4.5 V
- 导通电阻 Rds(ON) 67毫欧姆 @ 2.5A, 4.5V
- 色彩/颜色 -
RTF025N03FRATL 产品详情
功率MOSFET通过微处理技术制成低导通电阻器件，适用于广泛的应用。广泛的产品阵容涵盖紧凑型、高功率型和复杂型，以满足市场上的各种需求。
RTF025N03FRATL 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RTFD14B | 安费诺 (Amphenol) | 附件种类: 法兰垫片 配套使用/相关货物: ecomateRM插座 材质: 丁腈橡胶 色彩/颜色: 黑色 | ¥0.45775 |
 | RTFD12B | 安费诺 (Amphenol) | 附件种类: 法兰垫片 配套使用/相关货物: ecomateRM插座 材质: 丁腈橡胶 色彩/颜色: 黑色 | ¥0.45775 |
 | RTFD20B | 安费诺 (Amphenol) | 附件种类: 法兰垫片 配套使用/相关货物: ecomateRM插座 材质: 三元乙丙橡胶 色彩/颜色: 黑色 | ¥0.98721 |
 | RTFD18B | 安费诺 (Amphenol) | 附件种类: 法兰垫片 配套使用/相关货物: ecomateRM插座 材质: 丁腈橡胶 色彩/颜色: 黑色 | ¥0.38532 |
 | RTFD16B | 安费诺正弦系统 (Amphenol) | 附件种类: 法兰垫片 配套使用/相关货物: ecomateRM插座 材质: 丁腈橡胶 色彩/颜色: 黑色 | ¥1.081 |
 | RTF016N05FRATL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A（Ta） 最大功耗: 800mW 供应商设备包装: TUMT3 工作温度: 150摄氏度 | ¥4.4906 |
 | RTF010P02TL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 |
 | RTF015P02TL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A（Ta） 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.92517 |
 | RTF016N05TL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A（Ta） 最大功耗: 320mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.55336 |
 | RTFAG042096F01VG | UPRIGHT FRAME FOR BOLTLESS PALLE | ¥0.00 |
RTF025N03FRATL所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RTF025N03FRATL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RTF025N03FRATL价格参考￥3.186876，你可以下载 RTF025N03FRATL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RTF025N03FRATL规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
