9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1442DH-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1442DH-T1-GE3参考价格为0.47000美元。Vishay Siliconix SI1442DH-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6。您可以下载SI1442DH-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI1441EDH-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363，包括卷筒包装，它们设计用于SI1417EDH-T1-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-363-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有2.8 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为-4 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为-1V，漏极-源极电阻Rds为41mOhm，晶体管极性为P沟道，Qg栅极电荷为22nC，正向跨导Min为16S。
SI1433DH-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6。SI1433DH-T1-E3以6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6、P沟道30V 1.9B（Ta）950mW（Ta）表面安装SC-70-6（SOT-363）、Trans MOSFET P-CH30V 1.9C 6引脚SC-70T/R。
SI1441EDH-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI1441EDH-T1-E3采用SC70-6封装，是IC芯片的一部分。
