MRF6S18060NR1和MRF6S18080NBR1设计用于频率从1800到2000 MHz的GSM和GSM EDGE基站应用。适用于TDMA、CDMA和多载波放大器应用。
特色
GSM应用
- 典型GSM性能:VDD=26 Vdc,IDQ=600 mA,Pout=60 W CW,f=1990 MHz功率增益:15 dB漏极效率:50%
GSM EDGE应用
- 典型GSM EDGE性能:VDD=26伏,IDQ=450 mA,Pout=25瓦平均值,全频带(1805–1880 MHz或1930–1990 MHz)功率增益:15.5 dBSpectral Regrowth@400 kHz Offset=–62 dBc Spectral Rerowth@600 kHz Offset=–76 dBcEVM:2%rms
- 能够处理5:1 VSWR,@26 Vdc,1990 MHz,60 W CW输出功率
- 用串联等效大信号阻抗参数表征
- 内部匹配,便于使用
- 最多32 VDD操作合格
- 集成ESD保护
- 225°C塑料包装
- N后缀表示无铅终端。符合RoHS。
- 在磁带和卷轴中。R1后缀=每44 mm,13英寸卷筒500个单位。