9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MCH6422-TL-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MCH6422-TL-E参考价格为0.10000美元。onsemi MCH6422-TL-E包装/规格：NCH 2.5V驱动系列。您可以下载MCH6422-TL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MCH6421-TL-W带有引脚细节，包括卷筒封装，它们设计为采用SMD/SMT安装方式操作，数据表说明中显示了用于SC-88-6的封装盒，该SC-88-6提供Si等技术特性，信道数设计为在1信道中工作，以及单配置，该设备还可以用作1.5 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为32 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-12 V，Id连续漏极电流为5.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Vgs栅-源极阈值电压为400 mV，Rds导通漏极-源极电阻为99mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为7.5ns，Qg栅极电荷为5.1nC，正向跨导最小值为2S，沟道模式为增强。
MCH6421-TL-E是MOSFET NCH 1.8V DRIVE系列，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该装置也可以用作MCH6421系列。此外，Rds漏极-源极电阻为38 mOhms，该器件提供1.5 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为SOT-363-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为5.5A，并且配置为Single。
MCH6413-TL-E，电路图由SANYO制造。MCH6413-TL-E采用SOT363封装，是IC芯片的一部分。
MCH6415-TL-E，带有SANYO制造的EDA/CAD模型。MCH6415-TL-E采用SOT-363封装，是IC芯片的一部分。
