9icnet为您提供NXP USA Inc.设计生产的MRFG35003M6R5,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂、代理商等渠道购买。MRFG35003M6R5参考价格为65.094美元。NXP USA Inc.MRFG35003M6R5封装/规格:FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD。您可以下载MRFG35003 M6R5English数据、引脚图、数据表数据表功能手册,数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MRFE6VS25LR5是FET VHV6E 25W 50V NI360L,包括MRFE6VS2 5N系列,它们设计用于RF功率MOSFET型,包装如数据表说明所示,用于卷筒,提供单位重量功能,如0.103628盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及NI-360-2封装盒,该设备也可作为Si技术使用。此外,增益为25.9 dB,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-40 C,工作频率为1.8 MHz至2000 MHz,Vgs栅极-源极电压为10 V,Vds漏极-源极击穿电压为140 V,第Vgs栅极源极阈值电压为2 V,晶体管极性为N沟道。
MRFE6VS25NR1是RF MOSFET晶体管VHV6E 25W50V TO270-2,包括-6 V+10 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在-0.5 V+133 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.018679盎司,提供RF功率MOSFET等类型功能,该装置也可以用作卷筒包装。此外,封装外壳为TO-270-2,该器件的工作频率为1.8 MHz至2000 MHz,该器件具有安装型SMD/SMT,增益为27 dB。
MRFE8VP8600HR5,带有NXP/Freescale制造的电路图。是晶体管-FET、MOSFET-单个的一部分,并支持“RF MOSFET晶体管宽带RF功率LDMOS晶体管、RF MOSFET、Trans RF MOSFET N-CH 115V 5引脚NI-1230H T/R、RF MOSFET三极管宽带RF功率NMOS晶体管、470-860 MHz、600 W、50 V”。
MRFG35003ANT1是FREESCALE制造的TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5。MRFG35003ANT1采用PLD-1.5封装,是RF FET的一部分,支持TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5、RF Mosfet pHEMT FET 12V 55mA 3.55GHz 10.8dB 3W PLD-1.5。