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NTHS4101PT1G是MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET，包括NTHS4101P系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于CHIPFET-8，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单十六进制漏极，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1.3 W的Pd功耗，下降时间为28 ns，上升时间为28纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为-6.7 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为42 mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为8ns，正向跨导最小值为15S，沟道模式为增强。
NTHS2101PT1G是ON公司制造的MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET。NTHS2101PT1G采用8-SMD、扁平引线封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH8V 5.4A-CHIPFET、P沟道8V 5.4B（Tj）1.3W（Ta）表面安装CHIPFET？，Trans MOSFET P-CH 8V 5.4A 8引脚片式FET T/R。
NTHS4101PT1，电路图由GP/ON制造。NTHS4101PT1在ChipFET封装中提供，是FET的一部分-单个。
