所有小信号n通道产品均适用于汽车应用（不包括2N7002）。
特色
- 增强模式
- 无铅铅镀层；符合RoHS
- 符合AEC Q101要求
应用
- 汽车
- 消费者
- 直流-直流
- 电子移动性
- 电机控制
- 车载充电器
- 电信
BSD316SNH6327XTSA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.4A（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT363-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.76630 | 3.76630 |
| 10+ | 2.81748 | 28.17488 |
| 100+ | 1.75350 | 175.35060 |
| 500+ | 1.20000 | 600.00200 |
| 1000+ | 0.92303 | 923.03500 |
| 3000+ | 0.83076 | 2492.28300 |
| 6000+ | 0.78455 | 4707.30600 |
- 库存: 2212
- 单价: ¥3.76631
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.77
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 最大功耗 500mW (Ta)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.4A（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 160毫欧姆@1.4A，10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@3.7A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.6 nC@5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 94 pF @ 15 V
- 供应商设备包装 PG-SOT363-6
- 包装/外壳 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
BSD316SNH6327XTSA1 产品详情
BSD316SNH6327XTSA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSD-04BFFM-SL6A05 | 安费诺环保连接器 (Amphenol LTW) | 连接头针脚数量 - 1: four 连接头公母座 - 1: 母套接口 连接头种类 - 2: Wire Leads 长: 16.40'（5.00m） 线缆材料: 聚氯乙烯（PVC） 色彩/颜色: 黑色 | ¥154.41139 |
| BSD-08BFFM-SL6A10 | 安费诺环保连接器 (Amphenol LTW) | 连接头针脚数量 - 1: 8 连接头公母座 - 1: 母套接口 连接头种类 - 2: Wire Leads 长: 32.8'（10.00m） 线缆材料: 聚氯乙烯（PVC） 色彩/颜色: 黑色 | ¥261.18622 |
| BSD-08BFFM-SR6A10 | 安费诺环保连接器 (Amphenol LTW) | 连接头针脚数量 - 1: 8 连接头公母座 - 1: 母套接口 连接头种类 - 2: Wire Leads 长: 32.8'（10.00m） 线缆材料: 聚氯乙烯（PVC） 色彩/颜色: 黑色 | ¥261.18622 |
 | BSD5C051V | 伯恩半导体 (BORN) | 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压：6V 最大钳位电压：15.5V | ¥0.21656 |
 | BSD5C051U | 伯恩半导体 (BORN) | 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压：6V 最大钳位电压：15.5V | ¥0.263 |
 | BSD3C151V | 伯恩半导体 (BORN) | 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：15V 击穿电压：16.7V 最大钳位电压：55V | ¥0.45992 |
 | BSD3C081V | 伯恩半导体 (BORN) | 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：8V@Max 击穿电压：9V 最大钳位电压：27V | ¥0.39786 |
 | BSD3C031LX | 伯恩半导体 (BORN) | 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：3V@Max 击穿电压：4V 最大钳位电压：18V | ¥0.43602 |
| BSD3C4R51V160 | 伯恩半导体 (BORN) | 暂无 | ¥0.34479 |
 | BSD5A051V | 伯恩半导体 (BORN) | 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压：6V 最大钳位电压：12V | ¥0.18694 |
BSD316SNH6327XTSA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSD316SNH6327XTSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSD316SNH6327XTSA1价格参考￥3.766308，你可以下载 BSD316SNH6327XTSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSD316SNH6327XTSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
