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PMPB27EP,115

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A (Ta) 最大功耗: 1.7W(Ta)、12.5W(Tc) 供应商设备包装: DFN2020MD-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安世 (Nexperia)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2965

数量 单价 合计
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200+ 1.09222 218.44580
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 安世 (Nexperia)
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 包装/外壳 6-UDFN Exposed Pad
  • 最大功耗 1.7W(Ta)、12.5W(Tc)
  • 供应商设备包装 DFN2020MD-6
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 45 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6.1A (Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1570 pF@15 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 29毫欧姆@6.1A,10V

PMPB27EP,115 产品详情

PMPB27EP,115所属分类:分立场效应晶体管 (FET),PMPB27EP,115 由 安世 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PMPB27EP,115价格参考¥1.156691,你可以下载 PMPB27EP,115中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PMPB27EP,115规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安世 (Nexperia)

安世 (Nexperia)

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