9icnet为您提供由onsemi设计和生产的CPH6355-TL-H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CPH6355-TL-H参考价格为0.12000美元。onsemi CPH6355-TL-H封装/规格：功率场效应晶体管，P。您可以下载CPH6355T-L-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如CPH6355-TL-H价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
CPH6354-TL-W带有引脚细节，包括卷筒封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表注释中显示了用于CPH-6的封装盒，该CPH-6提供Si等技术特性，配置设计用于P通道ESD以及1.6 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C。此外，下降时间为40纳秒，器件的上升时间为12纳秒，器件具有+/-20 V的Vgs栅极-源极电压，Id连续漏极电流为-4 a，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Vgs第栅-源极阈值电压为-1.2 V，Rds漏极源极电阻为77毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为78ns，典型接通延迟时间为5.8ns，Qg栅极电荷为14nC，正向跨导最小值为4.8S，信道模式为增强。
CPH6354-TL-H是MOSFET P-CH 60V 4A CPH6，包括-60 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于1 P沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表中，用于P沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于CPH6354，以及100 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作1.6W Pd功率耗散。此外，包装为卷轴式，该器件采用SOT-25-5封装盒，该器件具有1个通道数，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为-4A。
CPH6355，带有ON制造的电路图。CPH6355在SOT23-6封装中提供，是FET的一部分-单个。
