特色
- 55A,30V
- RDS(ON)=10.5 mΩ@VGS=10 V
- RDS(开启)=13.0 mΩ@VGS=4.5 V
- 包括SyncFET™ 肖特基体二极管
- 低栅极电荷(典型21nC)
- 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
- 高功率和电流处理能力
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
起订量: 572
数量 | 单价 | 合计 |
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572+ | 3.76630 | 2154.32817 |
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