9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FCPF20N60，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FCPF20N60参考价格$4.31000。onsemi FCPF20N60封装/规格：MOSFET N-CH 600V 20A TO220F。您可以下载FCPF20N60英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FCPF190N65FL1带有引脚细节，包括卡套管封装，它们设计用于单位重量为0.080072盎司的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供39 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.2 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V 30 V，Id连续漏极电流为20.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为190mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为62ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为60nC，正向跨导最小值为18S。
FCPF190N60E是MOSFET 600V N-CHAN MOSFET，包括3.5 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.080072盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如56 ns，典型的关闭延迟时间设计为212 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为38 ns，器件的漏极-源极电阻为190 mOhms，Qg栅极电荷为82 nC，Pd功耗为39 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为20.6A，正向跨导最小值为20S，下降时间为40ns。
FCPF190N60E_F152，电路图由Fairchild制造。是晶体管-FET、MOSFET-单个的一部分，支持“MOSFET 650V、MOSFET 650V、190mOhm SuperFET II MOSFET”。
