9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT37M100L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT37M100L参考价格为20.68000美元。微芯片技术APT37M100L封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 37A TO264。您可以下载APT37M100L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT37M100B2是MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX，包括卷盘封装，它们设计为采用通孔安装方式运行，数据表说明中显示了用于T-MAX的封装盒，提供Si等技术功能，配置设计为单台工作，以及1.135 kW Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，器件的下降时间为38纳秒，器件的上升时间为40纳秒，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为37 a，Vds漏极-源极击穿电压为1 kV，Vgs第栅极-源极端电压为4 V，Rds漏极源极电阻为330 mOhms，并且晶体管极性是N沟道，并且典型关断延迟时间是150ns，并且典型接通延迟时间是44ns，并且Qg栅极电荷是305nC，并且正向跨导Min是39S，并且沟道模式是增强。
APT36N90BC3G是MOSFET功率MOSFET-CoolMOS，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于900 V，提供单位重量功能，如1.340411盎司，典型开启延迟时间设计为70纳秒，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为20 ns，器件的漏极-源极电阻为100 mOhms，Qg栅极电荷为252 nC，Pd功耗为390 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-247-3，安装方式为通孔式，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为36 A，下降时间为25 ns，通道模式为增强型。
APT37F50S是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括硅技术。
